Diclib.com
Diccionario ChatGPT

Búsqueda en el diccionario Soluciones personalizadas

Ingrese una palabra o frase en cualquier idioma 👆

Idioma:

Traducción y análisis de palabras por inteligencia artificial ChatGPT

En esta página puede obtener un análisis detallado de una palabra o frase, producido utilizando la mejor tecnología de inteligencia artificial hasta la fecha:

cómo se usa la palabra
frecuencia de uso
se utiliza con más frecuencia en el habla oral o escrita
opciones de traducción
ejemplos de uso (varias frases con traducción)
etimología

Qué (quién) es ГЕТЕРОПЕРЕХОД - definición

ГЕТЕРОПЕРЕХОД

контакт между двумя разными по химическому составу полупроводниками. Гетеропереходы могут быть анизотипными (p - n-гетеропереходы) или изотипными (p - p-гетеропереходы, n - n-гетеропереходы). Транзисторы, тиристоры, полупроводниковые лазеры на гетеропереходах обладают высокими характеристиками.

Полупроводниковый гетеропереход

контакт двух различных по химическому составу полупроводников (См. Полупроводники). На границе раздела изменяется обычно ширина запрещенной зоны ΔE, подвижность носителей тока, их эффективные массы и др. характеристики полупроводников. В "резком" П. г. изменение свойств происходит на расстоянии, сравнимом или меньшем, чем ширина области объёмного заряда (см. Электронно-дырочный переход). В зависимости от легирования обеих сторон П. г. можно создать р-n-гетеропереходы (анизотипные), р-р- и n-n-гетеропереходы (изотипные). Комбинации различных П. г. и р-n-переходов образуют гетероструктуры.

Идеальная стыковка кристаллических решёток в П. г. возможна лишь при совпадении типа, ориентации и периода кристаллических решёток сращиваемых материалов. Кроме того, в идеальном П. г. граница раздела должна быть свободна от структурных и др. дефектов (дислокаций (См. Дислокации), заряженных центров и т.п.) и механических напряжений. Наиболее широко применяются монокристаллические П. г. между полупроводниковыми соединениями типа A^IIIB^V и их твёрдыми растворами (См. Твёрдые растворы) на основе арсенидов, фосфидов и антимонидов Ga и Al. Благодаря близости ковалентных радиусов Ga и Al изменение химического состава происходит без изменения периода решётки. Изготовление монокристаллических П. г. и гетероструктур стало возможным благодаря развитию методов эпитаксиального наращивания полупроводниковых кристаллов.

П. г. используются в различных полупроводниковых приборах: полупроводниковых лазерах (См. Полупроводниковый лазер), светоизлучающих диодах (См. Светоизлучающий диод), Фотоэлементах, Оптронах и т.д.

Лит.: Алферов Ж. И., Гетеропереходы в полупроводниковой электронике близкого будущего, в кн.: Физика сегодня и завтра, под ред. В. М. Тучкевича, Л., 1973; Елисеев П. Г., Инжекционные лазеры на гетеропереходах, "Квантовая электроника", 1972, № 6; Алферов Ж. И., Инжекционные гетеролазеры, в сборнике: Полупроводниковые приборы и их применение, под ред. Я. Федотова, в. 25, М., 1971.

Ж. И. Алферов.

Wikipedia

Гетеропереход

Гетеропереход — контакт двух различных полупроводников.

Особенностью зонной диаграммы гетероперехода является скачок края зоны проводимости на стыке (равный разности сродства к электрону в материалах) и скачок края валентной зоны, см. пример на рисунке. Существуют правила построения таких диаграмм.

Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах (гетероструктурах). Например, лазер на двойной гетероструктуре делают на основе пары полупроводников — GaAs и его твердого раствора с AlAs -- Al_xGa_1-xAs. В тонкий слой GaAs, который имеет более узкую запрещённую зону по сравнению с расположенными по его краям слоями Al_xGa_1-xAs, инжектируются электроны и дырки, которые рекомбинируют там с испусканием фотонов.

Модулированно-легированные гетероструктуры используют для получения двумерного электронного газа (на рисунке: ДЭГ) с высокой подвижностью, который необходим для исследований дробного квантового эффекта Холла, а также для создания полевых и биполярных транзисторов для сверхбыстрой электроники. Комбинируя материалы, можно также получить сверхрешётки с множественными квантовыми ямами, разделёнными барьерами.

Если полупроводники имеют разные постоянные решётки, возможно создание структур с самоформирующимися квантовыми точками на границе.

https://ru.wikipedia.org/wiki/Гетеропереход

¿Qué es ГЕТЕРОПЕРЕХОД? - significado y definición